電力電子工程師們一直致力于開發(fā)可靠、易于維護、經(jīng)濟高效且緊湊的系統(tǒng)。 在過去十年中，隨著碳化硅 (SiC) 大量投放市場，使得這些夢想部分成為現(xiàn)實。SiC 功率模塊使構(gòu)建可靠、高效且緊湊的系統(tǒng)成為可能。 隨著時間的推移，SiC 功率模塊使整個電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的成本與基于 IGBT 的解決方案相比更具競爭力。
不久前，利普思向電力電子市場推出了其ED3系列SiC MOSFET功率模塊，采用業(yè)界公認的知名封裝。電力電子工程師在設(shè)計他們的下一個項目或?qū)ふ腋玫奶娲桨敢再x予他們當前的設(shè)計更強大的外觀時有更廣泛的選擇。
ED3 系列在熟悉的封裝中提供了更高效率，使終端系統(tǒng)更加緊湊和經(jīng)濟實惠。
作為一家專注于 SiC 和 IGBT 功率模塊的創(chuàng)新型功率半導體器件制造商，利普思一直在探索新的方法來為合作伙伴提供更先進、更可靠的功率半導體。如何才能讓已經(jīng)高效的 ED3 系列 SiC 功率模塊更加高效呢？ 利普思給出了方案。
利普思很高興推出ED3S系列SiC功率模塊，與功率半導體終端客戶緊密合作，力爭走在市場趨勢前端。
ED3S 系列是高性能 SiC MOSFET 功率模塊（圖 1），采用知名設(shè)計的緊湊版本。
圖1.ED3S系列SiC功率模塊
為了提供更佳性能，ED3S 系列采用獲得專利的 Arcbonding? 技術(shù)（圖 2）生產(chǎn)，該技術(shù)也適用于利普思在汽車牽引逆變器的旗艦 SiC 功率模塊 - HPD 系列。
與許多車規(guī)級功率半導體制造商使用的傳統(tǒng)鋁線鍵合技術(shù)不同，Arcbonding? 專利芯片表面連接技術(shù)可確保 SiC 模塊的可靠性達到汽車應(yīng)用要求，同時顯著降低寄生電阻和寄生電感。此外，Arcbonding? 被證明可以顯著降低靜態(tài)損耗、改善功率循環(huán)和短時脈沖電流的能力。即使 6-10 個 SiC芯片并聯(lián)，SiC 功率模塊仍能始終如一地工作。
圖2. 利普思半導體的專利ArcbondingTM技術(shù)
為了生產(chǎn)高可靠的 ED3S 系列 SiC MOSFET 功率模塊，利普思采用高級 Si3N4 AMB 基板，該基板結(jié)合了更佳的機械穩(wěn)健性和出色的散熱性能，具有極高的功率密度。
ED3S 系列 SiC MOSFET 功率模塊專為各種應(yīng)用而設(shè)計，使用這種新封裝可以極大程度地使以下應(yīng)用受益：
?xEV
?電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)
?車載快速充電器
?智能電網(wǎng)/并網(wǎng)分布式發(fā)電
ED3S系列SiC MOSFET功率模塊特點：
?1200V/1700V 阻斷電壓
?Si3N4 AMB低熱阻
?結(jié)溫高達175°C
?內(nèi)部熱敏電阻
與 ED3 相比，ED3S 系列的面積小 1/3，其底板緊湊至 62mm x 109mm。標準 ED3 系列及其替代品為 62mm x 152mm（圖 3）。
圖3 ED3S VS ED3
為了滿足客戶測試和模擬 SiC MOSFET 模塊性能的要求，利普思開發(fā)了專為 ED3S 系列設(shè)計的演示驅(qū)動板（圖 4）。
圖4. 利普思半導體的ED3S驅(qū)動板
目前，利普思的 ED3S 系列 SiC MOSFET 功率模塊，采用半橋、H 橋和雙升壓拓撲（圖 5），阻斷電壓為 1200/1700V，額定電流為 200-800A。
圖5. 利普思半導體ED3S產(chǎn)品線
通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新，利普思旨在推動人類走向美好、綠色的未來。 利普思的產(chǎn)品組合包括 ED3S 系列 SiC MOSFET 功率模塊，以應(yīng)對所有挑戰(zhàn)，實現(xiàn)碳達峰和碳中和的目標。
