利普思推出全新62mm封裝SiC模塊產(chǎn)品組合，性能達到業(yè)內(nèi)一流水平。模塊采用工業(yè)領(lǐng)域大量應(yīng)用的62mm模塊半橋型拓?fù)湓O(shè)計，使用高品質(zhì)的成熟芯片，其耐壓高、功率密度出眾、短路耐量高、溫度系數(shù)在1.4倍，優(yōu)于行業(yè)水平。62mm封裝SiC模塊包含1200V和1700V耐壓規(guī)格，滿足大功率應(yīng)用需求，特別適用于電網(wǎng)、軌交、儲能、大電源等應(yīng)用。

得益于采用業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的芯片方案，并運用了低熱阻和低雜散封裝技術(shù)，以及Si3N4 AMB低熱阻基板的使用，使得利普思62mm封裝SiC產(chǎn)品在功率密度、短路耐流、熱阻等能力方面發(fā)揮出色，特別是在高結(jié)溫的工況下，模塊導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗指標(biāo)顯著優(yōu)于行業(yè)水準(zhǔn)。

如上圖所示，在客戶實際測試和應(yīng)用中，對比市場主流產(chǎn)品62mm封裝SiC模塊，在同等Rg條件下，利普思模塊在導(dǎo)通、關(guān)斷、反向恢復(fù)等損耗均表現(xiàn)更好，且可以實現(xiàn)更快的開關(guān)速度，這一特性為客戶的應(yīng)用和驅(qū)動參數(shù)的設(shè)置上帶來了更靈活的選擇。

62mm系列SiC模塊 優(yōu)勢

? 耐壓1200V 1700V可選

? 出眾的電流輸出能力

? 溫度系數(shù)指標(biāo)優(yōu)于行業(yè)水準(zhǔn)

? 低損耗，短路耐流能力優(yōu)異

? Si3N4，低熱阻

目前利普思62mm封裝SiC模塊已經(jīng)進行上機測試并獲得訂單，涉及應(yīng)用包括電網(wǎng)變流器和軌道交通車輛輔助逆變器，下游客戶包括國內(nèi)電網(wǎng)及海外軌道交通企業(yè)客戶。

利普思一直專注SiC模塊以及大功率IGBT模塊的研發(fā)生產(chǎn)，今年利普思將加大對SiC模塊的研發(fā)投入，包括2200V碳化硅模塊在內(nèi)的一系列新產(chǎn)品預(yù)計也將很快投入市場。

62mm系列SiC模塊 應(yīng)用領(lǐng)域

? 智能電網(wǎng)

? 軌道交通

? 儲能、充電

? 大功率電源