表面處理電源為重要的工業(yè)電源之一，其包括電鍍電源，陽極氧化電源，電解拋光電源，真空鍍膜電源等等。作為相關(guān)的用戶企業(yè)核心生產(chǎn)設(shè)備，其運行工況負責甚至惡劣，設(shè)備頻繁甚至長期運行開機，其產(chǎn)生的用電成本則為生產(chǎn)企業(yè)的重要的生產(chǎn)成本組成。因此長期以來，更高效、更可靠的電源成為終端用戶以及電源設(shè)備廠家所追求的產(chǎn)品。
典型的表面處理電源拓撲如下，其ADCD采用被動整流或者主動整理，多采用Si器件，而DCDC電路一般采用高頻IGBT模塊，如英飛凌34mm和62mm系列高頻IGBT模塊。
雖然得益于英飛凌高頻IGBT芯片優(yōu)異的性能，可以滿足DCDC對器件開關(guān)頻率≥20kHz的應用需求，但是高頻帶來的高損耗，依然制約了電源的效率。
第三代SiC半導體具備耐高溫、低損耗、高開關(guān)頻率等特性，其特性非常適配表面處理電源的DCDC部分，對此利普思針推出了34mm-SiC、62mm-SiC，可實現(xiàn)對IGBT方案的快速替換：由于封裝兼容，用戶在進行驅(qū)動修改后，便可快速實現(xiàn)SiC替換IGBT的，并帶來效率和性能的提升。
以某電鍍電源用戶為例，根據(jù)如下仿真，20khz的開關(guān)頻率下，降低了近60%的器件總損耗，其中開關(guān)損耗降低85%，同時芯片結(jié)溫降低了10℃以上，進一步降低了功率的溫升壓力。而用戶實測，電源效率由94%提升至96%以上，由此可見，在使用62mm-SiC模塊進行替換后，帶來了顯著的收益。
需要特別指出的是，伴隨著SiC器件的成本顯著降低，在工業(yè)電源領(lǐng)域，采用SiC器件替換IGBT器件，不僅具備性能上的優(yōu)勢，在成本方面也具備可行性，越來越多的電源設(shè)備商正在調(diào)整他們的技術(shù)方案并積極使用SiC器件。目前利普思SiC器件已經(jīng)在多個工業(yè)電源領(lǐng)域被使用，包括表面處理電源，感應加熱電源，焊機電源，測試電源，脈沖電源等等，我們后續(xù)將進一步分享更多的應用案例。
利普思半導體——新一代耐用型功率模塊及應用專家
官網(wǎng)：http://www.leapers-power.com | 郵箱：Sales@leapers-power.com
