目前隨著供應鏈的持續(xù)優(yōu)化，SiC在各個應用領域正在迅速替代IGBT。例如在空調(diào)壓縮機、小型伺服電機等領域，具備高度集成、便捷裝配、性價比高的PIM-SiC模塊則非常適合應用。

為應對這一趨勢，利普思半導體正式推出其新一代高性能功率模塊1200V SiC PIM系列模塊。

超越傳統(tǒng)，性能躍升

相較傳統(tǒng)方案，有如下有點：

·針對高頻應用，相比較IGBT方案，顯著降低損耗和發(fā)熱，提升控制頻率。

·采用 6 in 1拓撲封裝，可替代6顆分離器件，高度集成。

·內(nèi)置DBC基板，頂部散熱，焊針安裝，相比分立器件易于生產(chǎn)。

·集模塊體積小巧，結(jié)構(gòu)堅固，易于安裝，特別適合空間受限的三相變頻驅(qū)動應用。

·優(yōu)化的封裝結(jié)構(gòu)和熱管理設計，確保模塊在高溫、高頻工作條件下仍能保持穩(wěn)定運行，延長使用壽命，提升系統(tǒng)可靠性。

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